Теория поверхностного натяжения
Теория поверхностного натяжения постулирует, что кристалл в процессе роста стремится к форме, соответствующей минимуму поверхностной энергии при данном объеме. При этом скорость роста отдельных граней пропорциональна их удельной свободной энергии, а последняя пропорциональна длинам нормалей к этим граням. Так как длины нормалей неодинаковы для различных граней, то рост последних должен происходить с различными скоростями. Объясняя форму кристаллов, данная теория не дает количественных закономерностей. Она не согласуется также с на¬личием ряда кристаллических модификаций одного и того же вещества.
Диффузионная теория описывает процесс роста кристаллов уравнением массообмена: $F (а —а„), где dM —коли-
чество закристаллизовавшегося вещества за время dx на межфаз¬ной поверхности F; а и ан — концентрации кристаллизующегося вещества в пересыщенной исходной фазе и в состоянии насыщения; р* — коэффициент массопередачи.
Перенос вещества из исходной фазы к растущему кристаллу представляется двухстадийным: 1) диффузия молекул вещества к межфазной поверхности и 2) закономерное расположение этих молекул на поверхности растущего кристалла («реакция» на поверхности). Обозначив коэффициенты массоотдачи для этих двух стадий соответственно через р*д и $п, можно, написать следую¬щие уравнения: = p\ (a —at) F; = рп (а, — ан) F,