Теория поверхностного натяжения
Рис. XV-3. К молекулярно-кинетической теории роста кристаллов.
к поверхности грани (рис. XV-3, а). Максимальное количество энергии выделяется в первом варианте, минимальное — в третьем, причем преобладает третий вариант. Представляется, что сначала оседает на поверхности грани один двухмерный зародыш, а затем идет построение рядов, причем каждый новый ряд и новая грань образуются лишь после построения предыдущих. Скорость роста кристалла ок выражается уравнением:
% = А-ехр ( — U/RT) ехр ( — Da/T AT)
где Л и D — постоянные величины; а — поверхностное натяжение на гранях двухмерных зародышей; U — энергия активации молекул.
Зависимость vK — f (AT) по этому уравнению имеет экстре¬мальный характер; максимальная скорость роста достигается при определенном переохлаждении (рис. XV-3, б). Как показали экспериментальные исследования, последнее уравнение лишь качественно подтверждается, так как оно не учитывает ряда факто¬ров, влияющих в реальных условиях на скорость роста кристаллов (перемешивание исходной фазы, наличие в ней примесей и др.). Заметим, что скорости роста кристаллов разных веществ могут сильно различаться. Так, например, для глицерина имакс = = 0,11 мм/мин, а для бутилфенола 1117 мм/мин.