ГАЛЛИЙОРГАНИЧЕСКИЕ
солей Ga3+ с послед, кристаллизацией при 540 °С. Компо¬нент высокотемпературного связующего. ГАЛЛИЯ СЕСКВИОКСИД Ga203, крист.; г„л 1725 °С; выше 600 °С восст. Н2 и С до низших оксидов и металлич. Ga; не раств. в воде, соляной к-те, H2SO4, HNO3. Получ.: прокаливание Ga(OH)3 выше 400 °С; термич. разложение солей Ga. Примен.: компонент спец. стекол, высокотемпера¬турного связующего; для получ. галлий-гадолиниевых гра¬натов.
ГАЛЛИЯ СЕСКВИСУЛЬФИД Ga2S3, ярко-желтые крист.;
Гпл ок. 1110 °С; к-тами разлаг.; реагирует с р-рами щелочей. Получ.: синтез из элементов при 1200 °С; нагревание метал¬лич. Ga или Ga203 в токе H2S выше 200 "С. Примен. для легирования GaAs серой.
ГАЛЛИЯ ТЕЛЛУРИДЫ: GaTe (гпл 835 °С) и Ga2Te3 (rM 792 °С). Черные крист., обладают полупроводниковыми св-вами. Получ. сплавлением элементов в вакууме. Пер¬спективны как компоненты полупроводниковых материалов для фотоэлектрич. и оптич. приборов, напр. в приемни-
лазерной технике.
ках kits, излучения, в
ГАЛЛИЯ ТРИХЛОРИД GaCl3, крист.; г„л 77,8 "С, гкш, 201 °С; гигр.; хорошо раств. в воде и орг. р-рителях; в р-рах НС1 присутствует в виде HGaCl4; при сплавлении с метал¬лич. Ga переходит в GaCL и GaCb. Получ. хлорированием металлич. Ga. Кат. в орг. синтезе.