ГАЛЛИЙОРГАНИЧЕСКИЕ
ГАЛЛИЯ АРСЕНИД GaAs, темно-серые с фиолетовым от¬тенком крист.; гпл 1238 °С; не раств. в воде и орг. р-рителях; разлаг. к-тами. Получ. из элементов под давл. паров As.
Полупроводниковый материал для светоизлучающих тун¬нельных, переключательных диодов, инжекционных лазе¬ров, фотоэлектронных умножителей и др. Токсичен. Ф Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Саха¬ров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающих¬ся полупроводниковых соединений (на примере арсенида гал-лия), М., 1974.
ГАЛЛИЯ(Ш) ГИДРОКСИД Ga(OH)3, аморфное в-во; при 80°С превращ. в Ga203 -2НаО, при 160 X — в 3GaO -4Н20, при 400 °С — в HGa02 (метагалловая к-та); не раств. в во¬де, хорошо раств. в к-тах, р-рах щелочей, NHs. Получ. дей¬ствием щелочей на р-ры солей Ga. Промежут. продукт в произ-ве Ga и его соединений.
ГАЛЛИЯ НИТРИД GaN, желто-коричневые крист.; выше 800 °С в токе Н2 возгоняется; не раств. в воде, плавиковой и соляной к-тах, HN03, кипящей царской водке. Получ. нагреванием металлич. Ga в токеNH3 при 1000 °С. Полу¬проводниковый материал, напр. для диодов. ГАЛЛИЯ(Ш) ОРТОФОСФАТ GaPO?, крист.; г„л 1670 °С; образует днгидрат.—Получ. осаждением из водных р-ров