Однократная кристаллизация
Мт = AW + W Мтам, т = AW- m+i + W«. «+1
Из последних двух уравнений находим: JW = Л1м [(«-.« - «- - - e" ; Л1т+1 = т [(0К'т+г
— Ом. т)/(°к. m+l — ам> m+i)]
Р-™ -ставь, КР^™-;^Й!»"^-"^ заимствуются из диаграммы равновесия соответственно |>
температурам фракционирования в отдельных кристаллизаторах. Очевидно, в случае эвтектикообразующих расплавов = ак2 =
~~ ' ' ' ~ ufln. ™ ~ ' ' ' — ак, п ~ 1 •
Второй вариант рассматриваемого процесса (рис. XV-19 б) позволяет получить весь кристаллический продукт с высокой концентрацией высокоплавкого компонента и фракции маточников
Рис. XV-19. Схемы многосту¬пенчатой перекристаллизации: а — по линии маточника; б — по линии кристаллов.
(по числу кристаллизаторов) с нарастающей концентрацией того же компонента. В данном случае для /п-ой ступени получим:
Km+i = Km l(aK, m — aM, OT+i)/(aK. m+i - ам, m+1)]; Mm+1 = Л'т |(ак, m+1 — — ак. т)/(ак, m+1 — ам> m+1)]
714
Если концентрация высокоплавкого компонента в исходном расплаве равна ак, то его выход составит: по первому варианту процесса Чг = 1 ~ (^""м. n)/FaK