НА ОСНОВЕ СОЛЕЙ СЕРЕБРА
Первым попытался создать электроды с твердыми мембранами из AgX в 1908 г. Габер [210]. Он иссле¬довал разность электрических потенциалов на гра¬нице фаз твердый AgX — водный раствор AgX н уста¬новил, что эта разность потенциалов подчиняется уравнению Нернста. Позже изучение твердых мемб¬ран из AgX выполнили Кольтгофф и Сандерс [211], а также Никольский и Бдовенко [212]. Однако из-за высокого сопротивления, наличия фотоэффекта и влияния окислителей и восстановителей электроды с твердыми мембранами из чистых AgX не нашли применения в ионометрии.
Проводимость в AgX-мембранах осуществляется ионами Ag+ по дырочному механизму Френкеля. Мембранная фаза имеет постоянный состав, и диф-фузионный потенциал внутри мембраны равен нулю. Потенциал галогенсеребряных электродов подчи¬няется уравнению Нернста.
В настоящее время имеется три типа AgX-элек-тродов:
I. Основу мембраны составляет смесь AgX и Ag2S [43, гл. 2] (электроды этого типа выпускают многие фирмы). Как уже отмечалось, такой состав мембран устраняет недостатки монокристаллических AgCl- и AgBr-электродов и, что особенно важно, позволяет получить Agl-электрод, так как мембраны из чистого Agl механически неустойчивы и легко растрески¬ваются. Это обусловлено тем, что твердый Agl в за¬висимости от температуры и давления может нахо¬диться в различных модификациях. Иодид серебра