ГАЛЬВАНОТЕХНИКА
рующих стержней ядерных реакторов и защитных экранов; компонент спец. стекол; перспективный компонент огне¬упоров .
ГАФНИЯ КАРБИД HfC, серые крист.; гпл 3190 °С (с разл.);
не раств. в воде, взаимод-. с горячей концентриров. H2SO4
и царской водкой. Термически более устойчив HfCo,
массе) 4215 С. Получ. взаимод. порошкообраз-
ных Hf или Hf02 с С. Примен.-. компонент керамики; для изготовления регулирующих стержней ядерных реакторов. ГАФНИЯ НИТРИД HfN, гпл ок. 3600 °С; не раств. в воде, взаимод.с царской водкой и горячими концентриров. неорг. к-тами. Получ. взаимод. элементов. Перспективен для нане¬сения защитных покрытий на металлы.
ГАФНИЯ ОКСОДИХЛОРИД HfOCh, крист.; хорошо раств. в воде; образует кристаллогидраты. Получ. раство¬рением HfCh в воде или Hf'(OH)4 в соляной к-те. Примен. для получения др. соед. Hf.
ГАФНИЯ(ГУ) РОДАНИД Hf(CNS)4, крист.; гра8Л 40— 50 °С; гидролизуется водой; взаимод. с разбавл. к-тами. Получ. обменными р-циями соед. Hf с родаиидами щел. и щел.-зем. элементов в сп. Промежут. продукт в произ-ве Hf.